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上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SZT-5硅材料復(fù)合測(cè)試儀
一,概述;
SZT-5硅材料復(fù)合測(cè)試儀，是由二種硅材料測(cè)試儀器組合而成的
1，二量程的電阻測(cè)量?jī)x器，配以手持式四針測(cè)試頭或座式測(cè)試架，可用來(lái)測(cè)量片狀，柱狀，或塊狀，電阻率
在0.01~200歐姆/厘范圍內(nèi)的半導(dǎo)體材料。通過(guò)對(duì)恒流源的調(diào)整，可以對(duì)某些測(cè)量結(jié)果進(jìn)行修整，例如對(duì)普通硅材料的測(cè)試結(jié)果要乘以0.628的探險(xiǎn)頭修正系數(shù)，對(duì)硅材料薄層擴(kuò)散和導(dǎo)電薄膜 “方塊電阻“ 的修正系數(shù)為4.53等均可通過(guò)調(diào)正恒流電流加以處理。
SZT－5數(shù)字式四探針測(cè)試儀，體形小巧，操作方便，量程適中，十分適於對(duì)重?zé)捇亓系姆诌x。
2，整流法硅材料P-N極性判別儀，配有三針手持式探頭，能對(duì)片狀或塊狀電阻率在1000-0.01歐姆/厘米的。硅材料進(jìn)行極性判別
本儀器工作環(huán)境條件為：
溫 度：18℃―25℃
相對(duì)濕度：50%－70%
工作室內(nèi)應(yīng)無(wú)強(qiáng)電場(chǎng)干擾，不與高頻設(shè)備共用電源。
二，技術(shù)參數(shù)
1,測(cè)量范圍
（1）電阻率測(cè)量：
電 阻 率 0.01-200Ω-cm
方塊電阻 0.01-200Ω-口
電 阻 0.01-200.0Ω
2,數(shù)字電壓表
(1)量 程 : 200mV單一量程
(2)誤 差: 讀數(shù) ±0.2%±3字
(3)輸入電阻 : >10MΩ
3,恒 流 源
(1)電流輸出 0~10mA連續(xù)可調(diào)
(2)量 程 1mA, 10mA
(3)誤 差 ±0.2%±3字,
4,手持式四探針測(cè)試頭
(a)探 針 間 距:: 1mm
(b)探針機(jī)械游移率: ±1.0%
(c)探 針 材 料: 碳化鎢,φ0.
(d)壓力: 最大 2Kg
（2）導(dǎo)電類(lèi)型判別：
可對(duì)電阻率為1000-.0.01歐姆/厘米的硅材料作導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)定，同時(shí)可以聲，光報(bào)警方式表示被測(cè)材料屬于”重?fù)?rdquo;。
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上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SZT-4數(shù)字式四探針測(cè)試儀
SZT-4數(shù)字式四探針測(cè)試儀，是二量程的電阻測(cè)量?jī)x器，配以手持式測(cè)試頭或座式測(cè)試架，可用來(lái)測(cè)量片狀，柱狀，或塊狀，電阻率在0.01~200歐姆/厘范圍內(nèi)的半導(dǎo)體材料。(客戶(hù)根據(jù)不同的要求可以選擇不同的量程，最小可以測(cè)量0.0001Ω最大可以測(cè)量100000Ω,根據(jù)電流檔定精度)通過(guò)對(duì)恒流源的調(diào)整，可以對(duì)某些測(cè)量結(jié)果進(jìn)行修整，例如對(duì)普通硅材料的測(cè)試結(jié)果要乘以0.628的探險(xiǎn)頭修正系數(shù)，對(duì)硅材料薄層擴(kuò)散和導(dǎo)電薄膜 “方塊電阻“ 的修正系數(shù)為4.53等均可通過(guò)調(diào)正恒流電流加以處理。SZT－4數(shù)字式四探針測(cè)試儀，體形小巧，操作方便，量程適中，十分適於對(duì)重?zé)捇亓系姆诌x。本儀器工作環(huán)境條件為：
溫 度：18℃―25℃
相對(duì)濕度：60%－80%
工作室內(nèi)應(yīng)無(wú)強(qiáng)電場(chǎng)干擾，不與高頻設(shè)備共用電源。
二，技術(shù)參數(shù) 
1,測(cè)量范圍
電 阻 率 0.01-200Ω-cm
方塊電阻 0.01-200Ω-口
電 阻 0.01-200.0
2,數(shù)字電壓表
(1)量 程 : 200mV單一量程
(2)誤 差: 讀數(shù) ±0.2%±3字
(3)輸入電阻 : >10MΩ
3,恒 流 源
(1)電流輸出 0~10mA連續(xù)可調(diào)
(2)量 程 1mA, 10mA
(3)誤 差 ±0.2%±3字,
4,手持式四探針測(cè)試頭
(1)探 針 間 距:: 1mm
(2)探針機(jī)械游移率: ±1.0%
(3)探 針 材 料: 碳化鎢,φ0.
(4)壓力: 最大 2Kg
5,電源: 220V±10%：50Hz
功耗：5W
6，外形尺寸;
7，使用方法：取出儀器平放於桌上，將三芯電源線(xiàn)接入儀器的電源插座中，并接通交流電壓（220V），再將測(cè)試探頭的插頭插入相應(yīng)的插座中，按下電源開(kāi)關(guān)使儀器得電，儀器上的數(shù)字電壓表就有讀數(shù)顯示，如果面板上的二個(gè)功能開(kāi)關(guān)全部處?kù)稄棾鰻顟B(tài)，則二個(gè)開(kāi)關(guān)旁邊的“調(diào)整”指示燈和：“1mA”指示燈將被點(diǎn)亮，此時(shí)旋轉(zhuǎn)電流調(diào)節(jié)旋鈕電壓表讀數(shù)就會(huì)發(fā)生有規(guī)則的變化，這說(shuō)明儀器已經(jīng)可以正常工作。
下一步就可以跟據(jù)測(cè)試的須要對(duì)電流進(jìn)行調(diào)整。電流調(diào)整應(yīng)該將電流開(kāi)關(guān)放在10mA的位置上。
8，電流調(diào)整：
（1）半導(dǎo)體（硅）材料的電阻率測(cè)試：
在10mA電流量程上將電流調(diào)到6.28mA,相當(dāng)于在10mA電流情況下測(cè)得的結(jié)果,乘以探頭修正系數(shù)0.628。
由於恒流源的調(diào)整，1mA和10mA是同步的，在`10mA調(diào)準(zhǔn)以后1mA量程同樣包含有這個(gè)修正系數(shù)。
（2）半導(dǎo)體（硅）材料薄層擴(kuò)散，玻璃或塑料的薄導(dǎo)電鍍復(fù)層的方塊電阻 測(cè)試:
在10mA電流量程上將電流調(diào)至4.53mA, 測(cè)得結(jié)果乘以10,就是方塊電阻。
（3）電阻測(cè)試： 電阻測(cè)試不能使用探頭，必須換用帶有鱷魚(yú)夾子的四線(xiàn)插頭
“電阻測(cè)試線(xiàn)”（選配件）。電流調(diào)到10mA,電壓表的顯示值
就是電阻值，不用修正。
(4)在做好測(cè)試前的準(zhǔn)備工作之后，取下探頭保護(hù)蓋，將探頭壓在被測(cè)工件上，使四根探針和工件保持良好接觸，
使用時(shí)的注意事項(xiàng)；
（1） 保護(hù)蓋取下后一定要保存好，用畢仍要蓋好，以防探針損壞。
（2） 儀器操作時(shí)，應(yīng)備戴乾燥手套，操作場(chǎng)地，桌椅均應(yīng)保持乾燥。
（3） 在被測(cè)材料外形尺寸允許的情況下，建議使用臺(tái)式測(cè)試架（選購(gòu)件），可使測(cè)試精度和穩(wěn)定性都會(huì)有所提高。
（4） 對(duì)於被測(cè)工件為片狀其厚度<3.49毫米時(shí),還應(yīng)對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行厚度修正,修正參數(shù)見(jiàn)參數(shù)表,附錄`1A和附錄1B 。
（5） 附錄2，是對(duì)片狀工件外形（園形，矩形）和測(cè)量位置的修正參數(shù)表。
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上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)STZ-3型半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀 主要說(shuō)明：
STZ—3型半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀是為了鑒別硅單晶材料的導(dǎo)電類(lèi)型 “P”和 “N”的測(cè)量?jī)x器,是采用溫差效應(yīng)和整流效應(yīng)兩種方法相結(jié)合綜合性的測(cè)量導(dǎo)電型號(hào)儀器,測(cè)量范圍廣硅材料電阻率從10-2~104Ω•cm,儀器采用美國(guó)16位單片集成電路計(jì)算機(jī)為核心,利用數(shù)字采集濾波技術(shù),并用 “P” “N”數(shù)碼直接顯示。采用了單片機(jī)技術(shù)可使測(cè)量的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性大幅度提高。儀器采用手持式四探然探頭，使用簡(jiǎn)單，操作方便，且壽命長(zhǎng)，適合半導(dǎo)體材料廠(chǎng)、器件廠(chǎng)和科研部門(mén)需要。
用作太陽(yáng)能多晶材料分選時(shí),采用整流法,對(duì)<0.01Ω-cm的材料具有聲光報(bào)警功能,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的原材料篩選環(huán)節(jié),快速高效。
主要技術(shù)指標(biāo)： 
1． 測(cè)量范圍：硅單晶材料電阻率10-2~104Ω•cm
2． 可測(cè)量材料：半導(dǎo)體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測(cè)試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
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當(dāng)前位置：
