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GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀
GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀
產(chǎn)品名稱: GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀
產(chǎn)品型號: GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀
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產(chǎn)品特點: 上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀
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8006 GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀 0
GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀 詳細(xì)信息

上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀 
        概述      本儀器主要用于測量大直徑的單晶硅和多晶硅的電阻率分布情況,以便硅材料的切割和加工。 
    為適應(yīng)大規(guī)模集成電路的迅猛發(fā)展,特別是計算機(jī)芯片、內(nèi)存的發(fā)展,越來越多的使用到了大直徑、高純度、均勻度更高的單晶硅材料。目前,在美國、德國等先進(jìn)的工業(yè)國家,均采用了二探針法,使用二探針檢測儀來測量大直徑單晶硅的電阻率分布情況。 
    本儀器符合美國ASTM 《“F391-77”關(guān)于二探針測量硅單晶試驗方法》的標(biāo)準(zhǔn),是一種新型的半導(dǎo)體電阻率測試儀,適合半導(dǎo)體材料廠和器件廠用于二探針法精確測量單晶硅和多晶硅半導(dǎo)體棒狀材料的體電阻率,從而進(jìn)一步判斷半導(dǎo)體材料的性能,指導(dǎo)和監(jiān)視工藝操作,也可以用來測量金屬材料的電阻,儀器具有測量精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、造型美觀等特點。也可以配四探針測試頭作常規(guī)的四探針法測量硅晶體材料。 
    儀器分為儀表電氣控制箱、測試臺、探頭三部分,儀表電氣控制箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表、高抗干擾高隔離性能的電源變換裝置、高穩(wěn)定高精度恒流源和電氣控制部分組成。測量結(jié)果由大型LED數(shù)字顯示,零位穩(wěn)定、輸入阻抗高,并設(shè)有自校功能。在棒狀材料使用二探針法測試時,具有系數(shù)修正功能,從面板輸入相應(yīng)的修正系數(shù),可以直接讀出電阻率,使用方便。測試臺結(jié)構(gòu)新穎,造型美觀,可以方便地固定好大小任意尺寸的樣品,并可以作逐點選擇步進(jìn)測量,也可以自由選擇固定位置測量,電極活動自如,具備鎖定裝置,方便重復(fù)測量。另外還配置了二處記錄板和轉(zhuǎn)椅,測試探頭能自動升降,探針為碳化鎢材料,配置寶石軸承,具有測量精度高、游移率小、耐磨、使用壽命長特點。同時探頭壓力恒定并且可調(diào)整,以適合不同的材料。
  儀器主要技術(shù)指標(biāo):
1.可測硅材料尺寸: 
     直徑Φ25~Φ150mm滿足ASTM F-397的技術(shù)要求。 
     長度:100~1100mm.
2.測量方式:軸向測量,每隔10mm測量一點。
3.測量電阻率范圍:10-3~103Ω-cm,可擴(kuò)展到105Ω-cm。
4.數(shù)字電壓表: 
    (1)量    程:0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V 
    (2)測量誤差:±0.3%讀數(shù)±2字 
    (3)輸入阻抗:0.2mV和2mV檔>106Ω 
                  20mV檔及以上>108Ω 
    (4)顯    示:31/2位LED數(shù)字顯示,范圍0~1999。
5.恒流源: 
    (1)電流輸出:直流電流0~100mA連續(xù)可調(diào)。 
    (2)量    程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 
    (3)電流誤差:±0.3%讀數(shù)±2字
6.二探針測試裝置: 
    (1)探針間距:4.77mm 
    (2)探針機(jī)械游移率:0.3% 
    (3)探針壓力:0~2kg可調(diào) 
    (4)測試探頭自動升降
7.二探針測試臺 
    (1)測試硅單長度:100-1100mm 
    (2)測試點間距:10mm 
    (3)測試臺有慢、快二種移動速度,快速移動速度為1000mm/分(均勻手動)
8.電源:交流220V±10%,50HZ±2HZ,消耗功率<150W
 

GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測試儀 同類產(chǎn)品
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