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KDM-1000半絕緣半導(dǎo)體電阻率分布測繪儀
1、概述
本儀器是參照德國din標準DIN50448:“Determinationoftheresistivityofusingacapacitorsemi-insulatingsemiconductors利用電容測定半絕緣半導(dǎo)體的電阻率”設(shè)計的半絕緣半導(dǎo)體電阻率測試儀，并取得了中華人民共和國知識產(chǎn)權(quán)局專利。
2、技術(shù)參數(shù)
（1）硬件指標
樣品臺：150mm×150mm，配置真空吸附泵及溫度傳感器
上片方式：手動
測量方式：自動掃描測量
X-Y軸重復(fù)定位精度：2μm
X-Y軸移動速度：最大每秒40mm
探頭高度：自動調(diào)整
探頭重定位精度：1μm
遮光罩：測試區(qū)域配置遮光罩
測繪儀尺寸：寬620mm×深620mm×高1500mm，凈重約100Kg
（2）測試系統(tǒng)
電荷放大器：為KDM特別開發(fā)
脈沖發(fā)生器：適配KDM系統(tǒng)的程控脈沖源
電阻率測量范圍：1×105～1012Ω·cm
探針直徑：2mm，可選配1mm
重復(fù)性（同一測試點）：1×106～109Ω·cm以內(nèi)＜1%，小于1×106或大于109Ω·cm＜10%
去邊距離：最小2.5mm，可選擇
（3）測量控制
計算機：配置工控機和液晶顯示器
操作系統(tǒng)：Windows7，64位
KDM測量軟件：自主研發(fā)
整片數(shù)據(jù)顯示：最大掃描點數(shù)1024×1024
讀數(shù)方式：自動采集數(shù)據(jù)并計算、保存測試結(jié)果，繪制彩色分布圖，可導(dǎo)出測試數(shù)據(jù)及分布圖
（4）被測樣片要求
樣片直徑：10mm～150mm
樣片厚度：250μm～5000μm
厚度允許變化：中心區(qū)域小于20μm，全片小于50μm
樣片表面鋸面、腐蝕面或拋光面，粗糙度小于10μm
（5）客戶環(huán)境要求
環(huán)境：潔凈的測試環(huán)境，固定的放置主機的場地
電源：AC220V±10%，50/60Hz
注：整機在1×106～109Ω·cm范圍內(nèi)，我們保證同一點測量小于1%的重復(fù)性，但在擴展范圍時，因為電荷放大器的帶寬限制，被測材料的均勻性等，會導(dǎo)致大于1%的測量重復(fù)性。

KDM-100A半絕緣半導(dǎo)體電阻率分布測繪儀
1、概述
本儀器是參照德國din標準DIN50448:“Determinationoftheresistivityofusingacapacitorsemi-insulatingsemiconductors利用電容測定半絕緣半導(dǎo)體的電阻率”設(shè)計的半絕緣半導(dǎo)體電阻率測試儀，并取得了中華人民共和國知識產(chǎn)權(quán)局專利。
2、技術(shù)參數(shù)
（1）硬件指標
樣品臺：100mm×100mm
測量方式：單點測量或通過X-Y軸手動滑臺進行多點測量
X-Y軸調(diào)節(jié)精度：20μm
探頭高度：手動調(diào)整
探頭手動調(diào)節(jié)精度：1μm
遮光罩：測試區(qū)域配置遮光罩
（2）測試系統(tǒng)
電荷放大器：為KDM特別開發(fā)
脈沖發(fā)生器：適配KDM系統(tǒng)的程控脈沖源
電阻率測量范圍：1×106～109Ω·cm（可擴展）
探針直徑：2mm
重復(fù)性（同一測試點）：1×106～109Ω·cm以內(nèi)＜5%
（3）測量控制
計算機：配置工控機和液晶顯示器
操作系統(tǒng)：Windows7，64位
KDM測量軟件：自主研發(fā)
讀數(shù)方式：自動采集數(shù)據(jù)并計算、保存測試結(jié)果，可導(dǎo)出測試數(shù)據(jù)
（4）被測樣片要求
樣片直徑：10mm～100mm
樣片厚度：250μm～5000μm
樣片表面鋸面、腐蝕面或拋光面，粗糙度小于10μm
（5）客戶環(huán)境要求
環(huán)境：潔凈的測試環(huán)境，固定的放置主機的場地
電源：AC220V±10%，50/60Hz