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KDB-1涂層電阻率/方塊電阻測(cè)試儀（廣量程）
1、概述
隨著新型電子薄膜、半導(dǎo)體薄膜和金屬箔的不斷發(fā)展，市場(chǎng)現(xiàn)有的四探針方阻測(cè)試儀所提供的測(cè)試條件，如量程、探針壓力、曲率半徑、測(cè)試電壓及測(cè)試電流的調(diào)節(jié)范圍已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足新型薄膜的測(cè)試要求。
KDB-1涂層電阻率/方塊電阻測(cè)試儀按照國際標(biāo)準(zhǔn)SEMIMF374-0307的要求，對(duì)不同厚度、不同材質(zhì)的薄膜采用不同的探針壓力及曲率半徑，以保證探針接觸樣品表面時(shí)不會(huì)產(chǎn)生機(jī)械損傷，同時(shí)加載到樣品上的電壓和測(cè)試電流方面，實(shí)現(xiàn)了廣量程調(diào)節(jié)，電流從最小的0.2μA可上調(diào)到1000mA，1、4探針加載到樣品上的電壓從最低8V可上調(diào)到80V；同時(shí)在探針與樣品接觸后才延時(shí)通電，保證不會(huì)因接觸火花或過大的電流，過高的電壓在電氣上損傷薄膜。
2.技術(shù)參數(shù)
（1）測(cè)量范圍
方阻測(cè)量范圍：1×10-5～2×106Ω/□，最小分辨率1×10-5Ω/□
電阻率測(cè)量范圍：1×10-6～2×105Ω·cm，最小分辨率1×10-6Ω·cm或1×10-8Ω·cm
金屬箔最低電阻率：1×10-8Ω·m，最小分辨率1×10-8Ω·m
（2）測(cè)試電壓
（1μA～10mA檔）12～80V連續(xù)可調(diào)
（100mA檔）8～36V連續(xù)可調(diào)
（1000mA檔）8～15V連續(xù)可調(diào)
（3）恒流源
測(cè)量電流：DC0.4μA～1000mA七檔連續(xù)可調(diào)
量程：0.2μA～1μA、2μA～10μA、20μA～100μA、0.2mA～1mA、2mA～10mA、20mA～100mA、200mA～1000mA
（4）直流電壓表
1μA～10mA檔，測(cè)量范圍：0～199.99mV，分辨率：10μV
100mA、1000mA檔，測(cè)量范圍：0～19.999mV，分辨率：1μV
（5）供電電源
AC220V±10%，50/60Hz，功率40W
（6）使用環(huán)境
溫度：23±2℃，相對(duì)濕度≤60%
（7）重量、體積
主機(jī)重量：9Kg，體積：495×445×153（單位mm，長(zhǎng)×寬×高）
該儀器可選配KDY四探針測(cè)試系統(tǒng)連接計(jì)算機(jī)軟件進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試結(jié)果更加精確、簡(jiǎn)便，測(cè)量數(shù)據(jù)自動(dòng)保存，可進(jìn)行導(dǎo)出excel等操作，便于保存數(shù)據(jù)
KDB-3雙組合四探針方阻/電阻率測(cè)試儀
1、概述
上海華巖儀器設(shè)備有限公司的KDB-3型雙組合四探針方阻/電阻率測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱電阻率測(cè)試儀）是用來測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延、離子注入、化學(xué)氣相、或其他淀積工藝在硅襯底上形成的薄膜方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。它主要由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱：主機(jī)）、測(cè)試架及四探針頭組成。
雙組合測(cè)試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測(cè)量半導(dǎo)體電阻率或薄層電阻的方法。在本測(cè)試方法中，在測(cè)試樣品的每個(gè)測(cè)量位置上，以兩種不同的方式（配置）將探針連接到提供電流和測(cè)量電壓的電路中。四探針的這種使用法通常被稱為“雙配置”或“配置切換”測(cè)量。單組合四探針相比，用較小間距的探針頭就可以進(jìn)行高精度的測(cè)量，從而可獲得更高的晶片薄層電阻變化的空間分辨率。
本儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表，在測(cè)量電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化，免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換，更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源，使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān)，在測(cè)量某些薄層材料時(shí)，可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生，更好地保護(hù)箔膜。儀器配置了本公司的專利產(chǎn)品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)可加配KDY測(cè)量系統(tǒng)，測(cè)量硅片時(shí)可自動(dòng)進(jìn)行厚度、直徑、探針間距的修正，并計(jì)算出硅片電阻率、徑向電阻率的最大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均勻度，給測(cè)量帶來很大方便。
2、主機(jī)技術(shù)能數(shù)
（1）測(cè)量范圍：
可測(cè)電阻率：0.0001～19999Ω·cm
可測(cè)方塊電阻：0.001～199999Ω/□
（2）恒流源：
輸出電流：DC0.001～100mA五檔連續(xù)可調(diào)
量程：0.001～0.01mA0.01～0.10mA0.10～1.0mA1.0～10mA10～100mA
恒流精度：各檔均低于±0.05%
（3）直流數(shù)字電壓表：
測(cè)量范圍：0～199.99mV
靈敏度：10μV
基本誤差：±（0.004%讀數(shù)+0.01%滿度）
輸入阻抗：≥1000MΩ
（4）測(cè)量精度：電器精度：1－1000歐姆≤0.3%
整機(jī)測(cè)量精度：1－1000歐姆·厘米≤3%
（5）供電電源：AC220V±10%50/60Hz功率：12W
（6）使用環(huán)境：溫度：23±2℃相對(duì)濕度：≤65%
無較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾，電源隔離濾波，無強(qiáng)光直接照射
（7）重量、體積：
主機(jī)重量：6.5kg
體積：420（含前把手）×360×150（含底腳）（單位：mm長(zhǎng)度×寬度×高度）
該儀器可選配KDY四探針測(cè)試系統(tǒng)連接計(jì)算機(jī)軟件進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試結(jié)果更加精確、簡(jiǎn)便，測(cè)量數(shù)據(jù)自動(dòng)保存，可進(jìn)行導(dǎo)出excel等操作，便于保存數(shù)據(jù)。
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當(dāng)前位置：
