|
上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)JKG-2A型光刻機(jī)
本機(jī)是制造中、大規(guī)模集成電路，傳感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻設(shè)備。
主要技術(shù)參數(shù)：
1、適用的掩模尺寸： （1）100*100*2-3mm�。�2）75*75*2-3mm�。�3）63*63*2-3（選購(gòu)）
2、適用的硅片尺寸： ф35-ф75mm
3、光刻圖形線條: 3~4чm，最細(xì)可達(dá)2чm
4、掩模與硅片之間的相對(duì)位移范圍： X/Y±2.5mm，（旋轉(zhuǎn)）±6°
5、承片臺(tái)（硅片）繞主軸旋轉(zhuǎn)： 粗調(diào)360度，可微調(diào)
6、承片工作臺(tái)綜合移動(dòng)范圍： X,Y合成ф75mm
7、承片臺(tái)的球座平面至掩模板面升降： 0-7.5mm
8、曝光燈源：GCQ200W超高壓汞燈，曝光波長(zhǎng)： 300-436nm
9、曝光系統(tǒng)能量不低于： 7mw
10、曝光系統(tǒng)的照度均勻度在φ75mm范圍內(nèi)： ±5%
11、顯微鏡的照明波長(zhǎng)： ≈545nm
12、曝光時(shí)間控制范圍： 0.1秒~99分
13、雙目顯微鏡的放大倍數(shù)：�。�1）目鏡共二種：10X,16X （2）平視場(chǎng)物鏡共三種：6X,9X,15X �。�3）合成放大倍率：60X-240X
14、真空接觸壓力： ≥0.7kgf
15、裝箱尺寸： 1000*850*980mm（2只）
16、裝箱重量： 200kg
———————————————————————————————————————————
上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)JKG-2B型雙面光刻機(jī)
產(chǎn)品型號(hào) JKG-2B型 雙面光刻機(jī)
本機(jī)是專為生產(chǎn)中、大規(guī)模集成電路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而設(shè)計(jì)制造的。它可以將兩塊掩模上的各種圖案經(jīng)紫外光束的曝光，從上下兩面分別或同時(shí)轉(zhuǎn)印至硅片或其它基片的正反面上，再經(jīng)其它工序的處理，從而獲得完整的微電子器件。
本機(jī)為適應(yīng)各電子器件廠對(duì)JKG-2A型光刻機(jī)的使用習(xí)慣，故保留了JKG-2A型光刻機(jī)部分操作程序，尤其是為了提高光刻的質(zhì)量，本機(jī)的結(jié)構(gòu)、精度以及性能等方面作了大幅度的改進(jìn)。為減少使用者的疲勞，顯微鏡采用雙目觀察和平視場(chǎng)物鏡，成像清晰，景深較長(zhǎng)。由于本機(jī)具有上述種種特點(diǎn)，是成批生產(chǎn)微電子器件較為適合的光刻設(shè)備。
主要技術(shù)參數(shù)：
1、適用的掩模尺寸： 100*100*2~3mm或75*75*2~3mm
2、適用的基片幅面尺寸： ф50或ф75mm
3、曝光分辨率： 3~4чm
4、掩模與硅片之間的相對(duì)位移范圍： X、Y各≥±2.5mm； θ（旋轉(zhuǎn)）≥±5°
5、工作臺(tái)綜合移動(dòng)范圍： X±37.5mm、Y±20mm
6、曝光系統(tǒng)： GCQ200W超高壓球形汞燈，曝光波長(zhǎng)：300~436nm
7、曝光系統(tǒng)能量不低于： 波長(zhǎng)407nm； 7mW/cm2
8、曝光系統(tǒng)的照明不均勻性在ф75mm范圍內(nèi) ±5%
9、顯微鏡的照明波長(zhǎng) ≈545nm
10、曝光時(shí)間控制范圍： 0.01秒~99.99分
11、雙目顯微鏡的調(diào)焦范圍： 13mm
12、雙目顯微鏡的放大倍率： a.成對(duì)目鏡，共兩種：10*、16*； b.平視場(chǎng)物鏡，共兩種：6*、9*；
c.總合成放大倍率：60*~144*
13、真空接觸壓力： ≥0.7kgf
14、供電電源： a.頻率：50HZ（Z頻）；b.額定輸入電壓：190V~230V；c.功率消耗：≤300VA
15、外形尺寸： 800*1440*650mm
16、重量： ≈80kg
———————————————————————————————————————————
上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)JKG-3型高精度光刻機(jī)
產(chǎn)品型號(hào) JKG-3型高精度光刻機(jī)
本機(jī)是制造中、大規(guī)模集成電路，傳感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻設(shè)備。
主要技術(shù)參數(shù)：
1、適用的掩模尺寸： a、150*150*2.3mm（選購(gòu)） b、125*125*2.3mm c、100*100*2.3（選購(gòu)）
2、適用的硅片尺寸： a、ф125mm（選購(gòu)） b、ф100mm c、ф75mm（選購(gòu)）
3、曝光分辨率 2чm
4、掩模與硅片之間的相對(duì)位移范圍： X、Y±5mm，θ±5°
5、掩模旋轉(zhuǎn)范圍： ±5°
6、承片臺(tái)的球座平面至掩模板面微調(diào)范圍 0~1mm
7、曝光燈源： 200W超高壓直流汞燈
8、曝光譜線： 436、405、365（nm）
9、曝光系統(tǒng)能量不低于 18mw/cm2
10、曝光系統(tǒng)的照度均勻度： ф110mm范圍內(nèi)±3%；ф136mm范圍內(nèi)±5%
11、顯微鏡的照明波長(zhǎng)： ≈545nm
12、曝光時(shí)間控制范圍： 0~99.99S
13、雙目分離視場(chǎng)顯微鏡的放大倍數(shù)
（1）目鏡共二種：10X,15X �。�2）平視場(chǎng)物鏡共三種：4X,10X,16X �。�3）合成放大倍率：40X-240X
14、分離視場(chǎng)調(diào)節(jié)范圍 30~80mm
15、真空接觸壓力： ≤-0.06Mpa
16、供電電源 AC220V±10% 50HZ
17、環(huán)境溫度： 22±2°C
18、相對(duì)溫度： ≤60%
19、凈化等級(jí)： 100級(jí)
20、外形尺寸： W960*D1000*H1400mm
———————————————————————————————————————————
上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)KD-1型大面積曝光機(jī)
產(chǎn)品型號(hào) KD-1型大面積曝光機(jī)
本機(jī)適用于液晶、特種器件、特種電路、傳感器及制版、曬版、印刷電路板、標(biāo)牌和在金屬薄片上制作精密圖形等。
主要技術(shù)參數(shù)：
1、基片尺寸（mm）： ≤200*200，厚度（mm）：≤5
2、基片材料： 硅片、玻璃、陶瓷、鈮酸鋰、覆箔板、鋁板、銅板和不銹鋼板等
3、掩模材料： 玻璃、滌綸片
4、曝光幅面（mm）： 200*200
5、曝光譜線（nm）： 365、405
6、曝光均勻性： ≤±10%
7、曝光方法： （a）真空接觸曝光；（b）接觸曝光
8、曝光分辨率（mm）： ≤0.01
9、曝光時(shí)間（s）： 0.1~99.9
10、外界要求： 真空源≤-0.08Mpa。電源220V±10%
|
當(dāng)前位置：
